民德电子：广芯微良性扩产良率高位稳定，适时稳步推进产品开发

有投资者在互动平台向民德电子提问：“您好，董秘，请问控股子公司广芯微当前晶圆扩产及良率情况如何？高压超结MOS目前研发、送样及量产计划如何？”
针对上述提问，民德电子回应称：“您好，感谢您的提问。1、广芯微电子目前处于良性扩产中，已完成包括MOS场效应二极管（MFER）、垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管（VDMOS）、Bipolar-CMOS-DMOS（BCD）、瞬态电压抑制二极管（TVS）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）等工艺平台的搭建，产品良率持续保持高位稳定，客户数量稳步增长。2、广芯微电子技术团队在基于超结结构的高压功率MOSFET关键工艺方面具备相应的技术储备，后续将结合市场需求与自身工艺特点，适时稳步推进产品开发计划。感谢您的关注！”
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