长电科技申请封装结构及其形成方法专利，实现不同尺寸的晶粒的晶圆键合

国家知识产权局信息显示，长电科技管理有限公司申请一项名为“封装结构及其形成方法”的专利，公开号CN 120581437 A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本申请公开了一种封装结构及其形成方法，该形成方法包括：提供第一晶圆，第一晶圆包括相对的第一键合面和第一背面，第一晶圆包括多个第一晶粒；刻蚀部分第一键合面，在部分数量的第一晶粒上形成凹槽；提供第二晶圆，第二晶圆包括相对的第二键合面和第二背面，第二晶圆包括多个第二晶粒，第二晶粒的尺寸大于第一晶粒的尺寸；将第一晶圆的第一键合面与第二晶圆的第二键合面键合，使得一部分第一晶粒与对应的第二晶粒键合，而另一部分第一晶粒由于凹槽的存在不会与对应的第二晶粒键合；对键合后的第一晶圆和第二晶圆进行分割，形成多个分立的芯片堆叠结构，同时得到分离的若干第一晶粒。
天眼查资料显示，长电科技管理有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本550000万人民币。通过天眼查大数据分析，长电科技管理有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目108次，专利信息123条，此外企业还拥有行政许可23个。
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